10月12日，第26届中国国际工业博览会（CIIF 2026）在上海开幕。世强硬创平台重点展示了面向AI数据中心的高功率密度供电方案，涵盖SST固态变压器、800V转54V 10kW全砖电源、48V LV-IBC高功率密度砖块电源等，覆盖从中压接入、800V直流配电（800V HVDC）到服务器板级供电的关键环节；同时展出了泛机器人关节驱动、车规48V BMS等工业自动化方案。这些创新技术不仅代表了工业电源领域的新突破，更为AI供电提供了高效可靠的技术路径。

现场展出内容 

1、SST固态变压器：SiC高频化推动AI数据中心供电架构升级 

传统工频变压器存在效率低、体积大、响应慢等问题，而固态变压器（SST）凭借高频变换、双向能量流和智能控制，正成为AI数据中心供电体系的关键方案。

传统工频变压器配合多级整流的供电架构，存在设备体积大、转换环节多、动态调节能力受限等问题。固态变压器通过高频功率变换与数字化控制，可实现中压交流向800V直流的高效转换，同时支持双向能量流控制，减少部分传统转换环节，为AI数据中心提供更加紧凑、灵活的供电架构。

世强硬创此次展示的SST方案以SiC功率器件为核心，原边高压侧主要采用SiC功率模块，副边侧以SiC单管为主。结合三电平拓扑设计，可降低单个开关器件承受的电压应力，并利用SiC器件的高频开关特性，缩小磁性器件体积、降低转换损耗，提升系统功率密度。

在功率器件方面，方案覆盖1200V至3300V多个电压等级的SiC器件，提供2mΩ至40mΩ不同导通电阻规格，并具备功率模块、插件式单管等多种封装选择，可根据不同功率等级、电流承载能力及散热布局灵活选型。

针对高压应用中的绝缘与电路保护需求，平台还提供耐压达1.5kV的薄膜电容，以及最高额定电压达72.5kV的高压熔断器。其中，相关熔断器产品已在SST行业头部客户项目中得到应用，可为高压侧故障保护及系统可靠性设计提供器件支持。

高频化提高功率密度的同时，也对散热系统提出了更高要求。世强硬创为此提供可定制的气液散热方案，覆盖换热器、风扇、分水器等关键组件，并采用外置换热器设计，便于后期检修与维护，同时有助于将换热环节与高压设备区域分离，降低运维过程中的安全风险，满足高功率设备连续运行的散热需求。

现场展出内容 

2、800V转54V 10kW全砖砖块电源：小体积实现大功率输出

800V输入、54V输出、10kW功率，却能保持标准全砖尺寸。世强硬创此次展出的这款高功率密度砖块电源方案，重点解决了大功率转换下的器件选型、空间布局和散热难题。作为800V HVDC配电架构中的关键工业电源模块，该方案为AI供电系统提供了高效稳定的电压转换能力。

要在有限空间内实现10kW功率输出，首先需要降低功率器件损耗，同时提高开关频率，缩小磁性器件体积。为此，方案提供高压GaN、SiC功率器件（650V，750V）以及极小封装和超低导通电阻的低压GaN器件(30V~150V)，可根据不同电源架构和电压应力要求，灵活选择相应耐压等级的器件。

结合CLLC拓扑设计，方案可支持MHz级高频功率变换，通过优化开关损耗和磁性器件尺寸，在提升转换效率的同时实现更高功率密度。相比传统硅功率器件设计，大幅度提升频率有助于在更小空间内实现同等级功率输出，为电源模块布局留出更多空间。

电容器件的高频稳定性同样重要。世强硬创提供采用COG/NPO介质的MLCC，具备温漂小、损耗低、参数偏差可控等特点，可根据耐压和容量需求灵活选型，为高频谐振及滤波电路提供支持。

功率密度提高后，热量更集中，散热与电气绝缘之间的平衡也更加关键。针对这一问题，世强硬创提供从热仿真、散热结构设计到材料选型的导热绝缘系统方案。其中，导热绝缘膜可根据器件和结构需求进行3D成型，适配复杂空间布局；配合液冷板、导热胶等材料，形成完整的液冷导热绝缘方案，在提高散热能力的同时兼顾高压绝缘可靠性。相关材料及工艺具备成熟的应用基础，可为高功率密度电源模块的长期稳定运行提供支持。 

3、48V LV-IBC高功率密度砖块电源：GaN助力1/4砖实现2400W

在48V转12V的IBC模块中，要把2400W功率放进1/4砖尺寸，首先需要解决的就是功率器件损耗和布局空间问题。传统Si MOS方案在高电流、高频开关条件下，需要兼顾导通损耗、开关损耗和散热，功率继续提升，设计难度也会随之增加。GaN器件凭借第三代半导体材料特性实现低导通电阻、超高频开关频率和小型化封装优势，为进一步提高IBC功率密度提供了新的选择。世强硬创此次展出的48V LV-IBC方案，采用EPC的GaN功率器件，其中100V规格导通电阻低至0.75mΩ。在特定测试条件下，相比传统Si MOS器件，GaN方案可减少约3W功耗，封装尺寸也更小，为PCB布局和高频化设计留出更多空间。结合双相交错buck、HSC两种拓扑优化与高频磁集成，方案在1/4砖尺寸内实现2400W功率输出，48V输入、满载条件下的典型效率达到97%～98%以上，功率密度突破1200W/in3。更高的单模块功率意味着，在相同总功率需求下，可以减少IBC模块数量，优化板级供电布局，并为降低系统布线复杂度和配电损耗创造条件。针对48V转12V中高功率应用，平台还可提供硬件参考设计、软件驱动适配及联合调试支持，帮助客户缩短开发与验证周期。根据方案提供的数据，在适用项目条件下，整体BOM成本具备20%～30%的优化空间。

展会现场

4、800V HVDC、液冷散热及智能工业方案同步展出

除了三款重点电源方案，世强硬创此次还展示了覆盖AI数据中心多个供电环节的产品与解决方案。在800V直流配电方向，现场展出了6kW、12kW HVDC全链路方案，以及380V AC转800V DC的高功率密度PSU模块，覆盖从交流输入到高压直流母线的转换需求。这些工业电源产品为AI供电提供了从高压直流到板级供电的完整解决方案。服务器板级供电方面，除了48V转12V 2400W 1/4砖电源，还配套展示了高功率密度液冷散热方案，为高功率模块的持续运行提供热管理支持。

工业自动化也是此次展示的方向之一。现场还带来了泛机器人关节驱动、车规48V BMS等方案，涉及电机驱动、运动控制及电池管理等应用。从SST固态变压器到10kW全砖电源，再到2400W GaN IBC，世强硬创此次展示的不只是不同功率等级的电源模块，也包括围绕这些模块所需的功率器件、控制芯片、磁性器件及散热材料的配套能力，为AI供电和工业电源应用提供了全面的技术支持。

对于电源开发企业而言，高功率密度设计需要解决的不仅是效率和体积问题，还涉及器件选型、成本控制、供应链稳定性以及开发验证周期。通过多品牌器件资源、国产化替代方案和技术支持，世强硬创为这些环节提供了更多可选择的实现路径。更多方案参数及器件选型详情，可前往国家会展中心（上海）世强硬创展位了解，或登录世强硬创平台查询。